| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 80mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 7GHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 80~160 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type.
* VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
* Low noise figure, high gain.
* NF = 1.1dB, |S21e|2= 11dB (f = 1 GHz) |
| 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延平面型。
* VHF〜UHF频段低噪声放大器的应用
*低噪声系数，高增益。
NF=1.1分贝，S21E|2=11分贝（F= 1千兆赫） |