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商品参数:

  • 型号:BFP67R
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05NOPB
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:67R
  • 封装:SOT-143
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)7.5Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)65~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage400mV/0.4V
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsNPN Silicon Planar RF Transistor Features • Small feedback capacitance • Low noise figure • High transition frequency • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS Applications Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. Thistransistor has superior noise figure and associated gain performance at UHF, VHF and microwave frequencies.
描述与应用NPN硅平面RF晶体管 特点  •小反馈电容  •低噪声系数  •高转换频率  •铅(Pb)免费组件  •组件按照RoHS 应用 低噪声小信号放大器高达2 GHz。 Thistransistor具有超强的UHF,VHF和微波频率的噪声系数和相关增益性能。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BFP67R
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