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  • 型号:IRFR214
  • 厂家:IR
  • 批号:05+
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  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:FR214
  • 封装:TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage400V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current1.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4Ω/Ohm @850mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation2.5W
Description & ApplicationsDESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications. • 1.7A, 400V, RDS(on) = 3.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 7.7 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability
描述与应用说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供 设计师与快速切换的最佳组合, 坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。 该DPAK是专为表面安装使用蒸汽相,红外线,或波峰焊技术。直 导致通孔版本(IRFU,赐福系列)安装应用程序。功耗水平,直至1.5 W 典型的表面贴装应用中是可能的。 •低栅极电荷(典型7.7 nC) •低Crss(典型6.0 pF) •快速开关 •100%雪崩测试 •改进的dv / dt能力
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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IRFR214
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