| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 600mA/0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.5W |
| Description & Applications | NPN Silicon Switching Transistors High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: PZT 2907 (PNP) PZT 2907 A (PNP) |
| 描述与应用 | NPN型硅开关晶体管 高直流电流增益：0.1 mA至500 mA的 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型：压电陶瓷2907（PNP） PZT2907 A（PNP） |