| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 12MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~164 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA. 4) Wide SOA (safe operating area). |
| 描述与应用 | 高压开关晶体管 特点 1）高击穿电压BVCEO= 400V。 2）低饱和电压，通常VCE（sat）的IC / IB= 0.3V=100mA/10毫安的。 3）高开关速度，通常是TF：IC=100MA1秒。 4）宽安全工作区（SOA） |