TLZ18B-GS08 稳压二极管 18V 500mW/0.5W SOD80/LL34-18V marking/标记尖锐的反向特性/低反向电流水平/更严格的公差/高稳定性/低噪音|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

TLZ18B-GS08 稳压二极管 18V 500mW/0.5W SOD80/LL34-18V marking/标记尖锐的反向特性/低反向电流水平/更严格的公差/高稳定性/低噪音

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型号：TLZ18B-GS08
厂家：VISHAY
批号：09+ROHS 08NOPB
整包数量：2500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：
封装：SOD80/LL34-18V
技术文档：下载

额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.	16.82V
平均Typ.	18V
最大max.	18.33V
误差Tolerance
最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance	23Ω/ohm
最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current	0.2uA
最大耗散功率PdPower dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	• Zener Diodes • Very sharp reverse characteristic • Low reverse current level • Available with tighter tolerances • Very high stability • Low noise • Silicon Epitaxial Planar • High reliability
描述与应用	•齐纳二极管 •非常尖锐的反向特性 •低反向电流水平 •可提供更严格的公差 •非常高的稳定性 •低噪音 •硅外延平面 •高可靠性

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
SS19 肖特基二极管 SMA/DO-214AC marking/标记 S9	SS19 标记：S9 封装：SMA/DO-214AC	VISHAY	批号：08NOPB	0 10起订
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NTD23N03RT4 N沟道MOSFET 25V 3.8A TO-252/D-PAK marking/标记 N03 小功率损耗/低的RDS	NTD23N03RT4 标记：N03 封装：TO-252/D-PAK	ON	批号：04+	348 10起订

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