首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:BFP196
  • 厂家:INFINEON
  • 批号:10+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:RI
  • 封装:SOT-143
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)12V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)100mA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)7.5Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)50~200
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation700mW/0.7W
Description & ApplicationsNPN Silicon RF Transistor • For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA • Power amplifier for DECT and PCN systems • fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHz
描述与应用NPN硅RF晶体管 •低噪声,低失真宽带天线放大器和电信系统高达1.5GHz的集电极电流从20mA到80mA •功率放大器DECT和PCN系统 •FT =的7.5GHz F =1.5dB(在900MHz时)
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
BFP196
*主题:
详细内容:
*验证码: