| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance |
2200mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 100mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage |
0.35~1.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • Analog Switching Applications • 1.5-V drive • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low ON-resistance RDS(ON) = 5.60 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) RDS(ON) = 4.05 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 3.02 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 2.20 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •1.5-V驱动器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RDS（ON）= 5.60Ω（最大）（@ VGS= 1.5 V） RDS（ON）= 4.05Ω（最大值）（@ VGS=1.8 V） RDS（ON）= 3.02Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RDS（ON）=2.20Ω（最大）（@ VGS= 4.5 V） |