| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 300mA/0.3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 30MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~700 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATION. FEATURES ·High Emitter-Base Voltage : VEBO=25V(Min.) ·High Reverse hFE : Reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-2mA) ·Low on Resistance : RON=1Ω(Typ.), (IB=8mA) |
| 描述与应用 | 静音和开关应用。 特点 ·高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） ·高反向HFE 反向HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=-2MA） ·低导通电阻RON=1Ω（典型值），（IB=8mA） |