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  • 型号：BUK481-100A
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：00+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：41-10A
  • 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.80Ω/Ohm @1A10v,
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.1-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount applications. The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1.5 W automotive and general purpose Tj Junction temperature 150 ˚C switching applications
描述与应用功率MOS晶体管 逻辑电平TOPFET N沟道增强型场效应功率晶体管在 塑料信封适合表面贴装应用。该设备是为了在P合计使用 总功耗为1.5 W 汽车和通用TJ 结温150˚C 开关应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BUK481-100A
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