PMV56XN N沟道MOSFET 20V 3.76A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM5 快速开关/DC/DC应用/极低的RDS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

PMV56XN N沟道MOSFET 20V 3.76A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM5 快速开关/DC/DC应用/极低的RDS

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型号：PMV56XN
厂家：NXP/PHILIPS
批号：1036NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：WM5
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	3.76A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	1.92W
Description & Applications	µTrenchMOS™ enhanced logic level FET Description N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package
描述与应用	μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用的TrenchMOS™技术开关速度非常快低阈值电压表面贴装型封装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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