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商品参数:

  • 型号:MMBTH10
  • 厂家:FAIRCHILD
  • 批号:08+rohs 10+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:3E
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)650Mhz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)60
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsNPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.
描述与应用NPN RF晶体管 这个装置是专为使用低噪音UHF/ VHF放大器, 与集电极电流在100μA到20 mA范围内共同 发射器或共同经营的基本模式,并在低频 漂移,高输出UHF振荡器
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MMBTH10
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