SI3457CDV-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -30V -4.1A 0.060ohm SOT-163 marking/标记 ATO|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI3457CDV-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -30V -4.1A 0.060ohm SOT-163 marking/标记 ATO

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型号：SI3457CDV-T1-GE3
厂家：VISHAY
批号：10NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ATO
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-4.1A/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.060Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation	2W
Description & Applications	FEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用	功率MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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