| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 15V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 260mA/0.26A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 560mW/0.56W |
| Description & Applications | N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage. |
| 描述与应用 | N沟道μTrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术。 表面贴装封装 足迹比SOT23小40％ 低通态电阻n低阈值电压 |