SI1300BDL N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70 marking/标记 REZ 低水平阈值|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI1300BDL N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70 marking/标记 REZ 低水平阈值

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型号：SI1300BDL
厂家：VISHAY
批号：10NOPB 10NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：REZ
封装：SOT-323/SC-70
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested
描述与应用	N沟道20-V（D-S）的MOSFET TrenchFET？功率MOSFET 100％的Rg测试

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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