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  • 型号：SSM6N17FU
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：09/12+NOPB 12+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DM
  • 封装：SOT-363/SC70-6/UF6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance20Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.9~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ●High drain-source voltage ●High speed switching
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●高的漏源电压 ●高速开关
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SSM6N17FU
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