| 反向电压VrReverse Voltage | 80V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 4.0NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FEATURES • TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type • UltrA High Speed Switching ApplicAtion • SmAll pAckAge • Excellent in forwArd current And forwArd VoltAge chArActeristics: VF (3) = 0.97 V (typ.) • FAst reVerse recoVery time: trr= 1.6 ns (typ.) • SmAll totAl cApAcitAnce: CT = 0.9 pF (typ.) |
| 描述与应用 | 特点 •东芝二极管硅外延平面型 •超高速开关应用 •小型封装 •优异的正向电流和正向电压 •特点：VF（3）= 0.97 V（典型值） •快速反向恢复时间：TRR =1.6纳秒（典型值） •小总电容CT=0.9 pF的（典型值） |