MCH3431-G-TL-E N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 ZG 超低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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MCH3431-G-TL-E N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 ZG 超低导通电阻

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型号：MCH3431-G-TL-E
厂家：SANYO
批号：08NOPB 08NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZG
封装：SOT-323/SC-70
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流Id Drain Current	3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.072Ω/Ohm 1.8A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	1W
Description & Applications	• Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive.
描述与应用	•低导通电阻。 •超高速开关。 •2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
小功率电感 1008CS-102XKBC 1UH 1008-1R0K	1008CS-102XKBC 标记：封装：1008-1R0K	coilcraft线艺	批号：05+	500 10起订
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1SMB33AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 33V 11.3A 3W DO-214AA/SMB-33v 标记MM	1SMB33AT3 标记：MM 封装：DO-214AA/SMB-33v	ON	批号：04+	1900 10起订
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磁珠 MLB-201209-0300B-N3 0805-300	MLB-201209-0300B-N3 标记：封装：0805-300	MAG.LAYERS	批号：05+ 05+	27600 10起订
S-80738AN 电压检测器电源IC 3.7V SOT-89 marking/标记 D2 3输出形式：N沟道开漏，主动CMOS输出H,活性的L	S-80738AN 标记：D2 封装：SOT-89	SEIKO	批号：05+	1850 10起订

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