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  • 型号：SI3456CDV-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：AP
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current7.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.034Ω/Ohm @6.1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation3.3W
Description & ApplicationsN沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET
描述与应用 N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI3456CDV-T1-GE3
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