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  • 型号：SI1555DL-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：RB
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/8V
最大漏极电流IdDrain Current660mA/-570mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.4V/-0.45~1V
耗散功率PdPower Dissipation270mW/0.27W
Description & ApplicationsComplementary Low-Threshold MOSFET Pair
描述与应用低阈值MOSFET对互补
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1555DL-T1-GE3
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