请先登录
首页
购物车0
库存198700件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI3445DV
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10NOPB 10+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：45
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-5.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.034Ω @-5.6A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI3445DV
*主题：
详细内容：
*验证码：