| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Power Transistor (−50V, −3A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = −0.35V (Max.) at IC / IB = −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. |
| 描述与应用 | 功率晶体管（-50V，-3A） 特点 1）低饱和电压。 VCE（sat）=-0.35V（最大）在IC/ IB=-1A/-50mA的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SC4672。 |