| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. |
| 描述与应用 | 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大40 V）。 应用 •通用开关和放大，如 电话和专业的通信设备。 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 |