| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 380MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 250~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 115mV/0.115V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 900mW/0.9W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications Applications :Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Narrow hFE range. Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm). High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 DC/ DC转换器应用 应用范围：继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 HFE缩小范围。 超小型封装有利于小型化的终端产品（安装高度：0.9毫米）。 高允许功耗。 |