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  • 型号：SI3433CDV-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10NOPB 10+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：AX
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.031Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation3.3W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI3433CDV-T1-E3
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