| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -800mA/-0.8A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 250~630 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCW65, BCW66 (NPN) |
| 描述与应用 | 对于一般AF应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压？互补类型：BCW65，BCW66（NPN） |