| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
115mA/0.115A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
1.8Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管 接口和开关应用。 特性 N沟道增强型场效应晶体管 高密度单元设计用于低的源漏极导通电阻） 电压控制小信号开关。 坚固，可靠。 高饱和电流能力 |