集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150MA/-0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
100MW/0.1W |
描述与应用
Description & Applications |
东芝硅PNP晶体管外延类型(PCT过程)
音频通用放大
*小包装(双类型)
*高电压、高电流
:VCEO =?50 v,IC =?150 ma(max)
*高放大:hFE = 120 ~ 400
*优秀的hFE线性
马:hFE(IC =?0.1)/ hFE(IC =?2 ma)= 0.95(typ)。
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