| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1.0W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications. *High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A). * Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max). * High-speed switching: tf = 90 ns (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。 *高直流电流增益：HFE=400至1000（IC= 0.5 A）。 *低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat）= 0.15 V（最大值）。 *高速开关：TF=90 ns（典型值）。 |