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  • 型号：SI2307DS-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：A7
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.064Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI2307DS-T1-E3
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