最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id Drain Current |
260mA/0.26A |
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.86Ω/Ohm @240mA,10V |
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
耗散功率Pd Power Dissipation |
300mW/0.3W |
Description & Applications |
SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) High density cell design for low RDS(ON). Suitable for high packing density. |
描述与应用 |
表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 小型表面贴装型。 (SC-70/SOT-323) 高密度单元设计的低漏源导通电阻)。 适用于高包装密度。 |