集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
125MW/0.125W |
描述与应用
Description & Applications |
NPN型硅外延平面类型
对于一般放大
■特性
两个元素纳入一个包(每个晶体管分离)
减少一半的安装面积和组装成本
■基本零件号
2 sd0601a×2
|
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |