集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
2.2KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.0468 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200mhz |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
外延平面PNP型晶体管
切换应用程序。
接口电路和驱动电路的应用。
特性
内置偏置电阻。
简化了电路设计。
减少数量的零部件和制造过程。
·高存储密度。
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