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商品参数:

  • 型号:KRA555E
  • 厂家:KEC
  • 批号:05+ROHS 05+NOPB
  • 整包数量:4000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:PE
  • 封装:SOT-553/TESV
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -100MA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  2.2KΩ
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  47KΩ
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2)
 0.0468
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 200mhz
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.2W
描述与应用
Description & Applications
  外延平面PNP型晶体管
  切换应用程序。
  接口电路和驱动电路的应用。
  特性
  内置偏置电阻。
  简化了电路设计。
  减少数量的零部件和制造过程。
  ·高存储密度。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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KRA555E
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