反向电压Vr
Reverse Voltage(Vr) |
30V |
平均整流电流Io
Average Rectified Current(Io) |
0.1A |
最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.42V |
结电容值Cj
Junction capacitance(Cj) |
|
耗散功率
Pd Power Dissipation |
0.2W |
| Description & Applications |
• Schottky Barrier Diodes (SBD) • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • Low forward voltage: VF< 0.42 V (at IF= 100 mA) • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr |
| 描述与应用 |
•肖特基势垒二极管（SBD） •硅外延平面型 •超高速开关 •低正向电压VF <0.42 V（在IF= 100 mA时） •最佳高频整流，因为其短的反向恢复时间trr |