| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V/8V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | 1.6A/-1.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 119mΩ@ VGS = 4V, ID = 1000mA/ 213mΩ@ VGS = -4V, ID = -1000mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.35~1.0V/-0.3~1.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • N-ch: 1.5-V drive P-ch: 1.8-V drive • N-ch, P-ch, 2-in-1 • Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 247 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 139 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Q2 P-ch: Ron = 430 mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 294 mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○电源管理开关应用 ○高速开关应用 •N-CH：1.5-V驱动器 P-CH：1.8-V驱动器 •N-沟道，P-沟道，2合1 •低导通电阻Q1 N沟道：RON= 247MΩ（最大）（@ VGS= 1.5 V） RON=190MΩ（最大）（@ VGS= 1.8 V） RON= 139MΩ（最大）（@ VGS= 2.5 V） Q2 P-CH：RON= 430MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） RON= 294MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） |