| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 300mA/0.3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100~300MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 80~250 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | • NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. |
| 描述与应用 | •NPN高压晶体管 特点 •低电流（最大300毫安） •高电压（最大160 V）。 应用 •通用开关和放大 •专门用于电话应用。 |