| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~300 @ -1V,-0.01A |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | • switching application • Low leakage curren: ICEX=-50nA(max)，IBL=-50nA(max)@VCE=-30V，VEB=-3V。 • Excellent DC current Gain Linearity • Low saturation Voltage:VCE(sat)=-04V(max)@IC=-50mA，IB=-5mA • Low collector output capacitance:COB=4.5pF(max)@VCB=-5V. |
| 描述与应用 | •开关应用 •低漏电流：ICEX=50nA的（最大），IBL=50nA的（最大）@ VCE=-30V，VEB =-3V。 •优秀DC电流增益线性 •低饱和电压VCE（饱和）=-04V（最大值）@ IC=-50mA的，IB=-5mA •低集电极输出电容：COB=4.5pF（最大值）@ VCB=-5V。 |