| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −150V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −600mA/- 0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~240 @ -5V,-0.01A |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | epitaxial planar PNP transistor • high voltage application • high collector breakdown voltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V • Low leakage current::ICBO=-50nA(max)，@VCB==-120V • Low saturation Voltage:VCE(sat)=-0.5V(max)@IC=-50mA，IB=-5mA • Low nosie:NF=8dB(max) |
| 描述与应用 | 外延平面PNP晶体管 •高电压应用 •高集电极击穿电压：VCBO=-160V VCEO=150V •低漏电流：ICBO=50nA的（最大），@ VCB==-120V •低饱和电压VCE（饱和）=-0.5V（最大值）@ IC=-50mA的，IB=-5mA 噪音低：NF=8分贝（最大） |