集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200MA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
250MW/0.25W |
描述与应用
Description & Applications |
硅PNP型开关晶体管阵列
马高的直流电流增益:0.1到100 ma
低饱和电压
两个(电)内部孤立的晶体管
在一个包有良好的匹配
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