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商品参数:

  • 型号:RN1106ACT
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:C5
  • 封装:SOT-883/CST3/0402
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)80mA
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio0.1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)80
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation0.1W/100mW
Description & ApplicationsSwitching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications •Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of parts, which enables the manufacture of ever more compact equipment and saves assembly cost. • Complementary to RN2101ACT to RN2106ACT
描述与应用开关应用逆变电路中的应用接口电路中的应用驱动电路的应用 •将偏置电阻到一个晶体管减少零件数量,使制造更紧凑的设备节约装配成本 •互补的rn2101act到rn2106act
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RN1106ACT
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