| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
800mA/0.8A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features * Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA） * High current capacity in compact package. * Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
特点 *非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA） *高电流容量，在紧凑的封装。 *补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |