请先登录
首页
购物车0
库存225000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI8413DB-T1-E1
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：11+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：8413
  • 封装：2X2 4-MFP
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-6.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0393Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.6V-1.4V
耗散功率PdPower Dissipation2.77W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • MICRO FOOT Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area
描述与应用芯片级封装 减少占位面积简介（0.62毫米） 每占位面积导通电阻
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI8413DB-T1-E1
*主题：
详细内容：
*验证码：