| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage |
±12 V |
| 最大漏极电流IdDrain Current |
1.33A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance |
0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage |
0.5v~0.9v |
| 耗散功率PdPower Dissipation |
530mw/0.53W |
| Description & Applications |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. * Low On-Resistance. * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage . * ESD Protected up to 2kV. |
| 描述与应用 |
双N沟道增强型MOSFET。 *低导通电阻。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *高达2kV的ESD保护。 |