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  • 型号：DMN601TK
  • 厂家：DIODES
  • 批号：06+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：7K
  • 封装：SOT-523
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 300MA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3 Ω VGS = 5V, ID = 0.05A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0v~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150MW/0.15W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR. * Low On-Resistance: RDS(ON). * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed. * Low Input/Output Leakage. * Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2). * ESD Protected Up To 2kV.
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管。 *低导通电阻RDS（ON）。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *无铅设计. *高达2kV的ESD保护。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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DMN601TK
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