| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
300MA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3 Ω VGS = 5V, ID = 0.05A |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1.0v~2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
150MW/0.15W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR. * Low On-Resistance: RDS(ON). * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed. * Low Input/Output Leakage. * Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2). * ESD Protected Up To 2kV. |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管。 *低导通电阻RDS（ON）。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *无铅设计. *高达2kV的ESD保护。 |