集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
50MW |
描述与应用
Description & Applications |
东芝硅NPN型晶体管外延类型(PCT过程)
频率的通用放大器应用程序
两个设备纳入一个小节距,smalmold(六脚)
包中。
高电压:VCEO = 50 V
高电流:IC = 100 mA(max)
高放大:hFE = 120到400
优秀的hFE线性
:hFE(IC = 0.1MA)/ hFE(IC马= 2MA)= 0.95(typ)。
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