集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
47KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
22KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
2.1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
50MW |
描述与应用
Description & Applications |
东芝硅PNP晶体管外延类型(PCT过程)(偏置电阻内置晶体管)
开关,逆变器电路、接口电路和
驱动电路的应用
两个设备纳入在一个微细小模具(六脚)包中。
在晶体管中加入一个偏置电阻减少零件数。
减少零件数使更多的生产
紧凑的设备,降低装配成本。
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