请先登录
首页
购物车0
库存170000件100起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:DF2B6.8M1CT
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:R8
  • 封装:CST2/SOD923-6.8V
  • 技术文档:下载

极性Polarization双向 Bidirectional
反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage5V
反向击穿电压VBRBreakdown Voltage6.8V
峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation
峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current
额定耗散功率PdPower dissipation
Description & ApplicationsESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar;Features • ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar • protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other purpose, including, but not limited to, voltage regulation.
描述与应用ESD保护二极管硅外延平面;特点 • ESD保护二极管硅外延平面 • 保护,防止静电放电(ESD)和不用于其他任何     用途,包括,但不限于,电压调整。
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
DF2B6.8M1CT
*主题:
详细内容:
*验证码: