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  • 型号：SSM6N44FE
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：12+ROHS
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NT
  • 封装：SOT-563/ES6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.8~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type •High Speed Switching Applications •Analog Switching Applications • Compact package suitable for high-density mounting • Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •紧凑型封装，适用于高密度安装 •低导通电阻RDS（ON）= 4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RDS（ON）=7.0Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SSM6N44FE
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