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  • 型号:SSM6N36TU
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:12+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:NX
  • 封装:SOT-353/SC70-5/ESV
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance630mΩ@ VGS = 5V, ID = 200mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.35~1.0V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻:罗恩= 1.52Ω(最大值)(@ VGS= 1.5 V) RON =1.14Ω(最大)(@ VGS=1.8 V) RON =0.85Ω(最大值)(@ VGS=2.5 V) RON= 0.66Ω(最大)(@ VGS=4.5 V) RON =0.63Ω(最大)(@ VGS=5.0 V)
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SSM6N36TU
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