首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:2SK2855
  • 厂家:NEC
  • 批号:11+ROHS
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:UT
  • 封装:SOT-89
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 10V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 6V
最大漏极电流Id
Drain Current
 1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
 
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 1.0~1.8V
耗散功率Pd
Power dissipation
 0.5W
描述与应用
Description & Applications
  东芝硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管类型
  超高频带放大器的应用
 
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
2SK2855
*主题:
详细内容:
*验证码: